型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 554.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN

RS品番:: 186-1287
メーカー型番:: NTMTS0D6N04CLTXG
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 554.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN

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6000 - 6000	￥228.157	￥684,471
9000 - 9000	￥225.77	￥677,310
12000 - 12000	￥223.383	￥670,149
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RS品番:: 186-1287
メーカー型番:: NTMTS0D6N04CLTXG
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	554.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	NTMTS0D6N04CL
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	660μΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	245.4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	126nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	高さ	1.15mm
	幅	8 mm
	長さ	8.1mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 554.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ NTMTS0D6N04CL
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 660μΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 245.4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 126nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	高さ 1.15mm
	幅 8 mm
	長さ 8.1mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet NTMTS0D6N04CLTXG

未対応

コンパクトなデザインの省スペース (8 x 8 mm)

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

代表的用途

動力工具、電池によって作動させた真空

UAV/Drones 、マテリアルハンドリング

BMS / ストレージ、ホームオートメーション

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 554.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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