onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 554.5 A 表面実装 パッケージDFNW8 8 ピン
- RS品番:
- 186-1287
- メーカー型番:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 3000 - 3000 | ￥832.73 | ￥2,498,190.00 |
| 6000 - 6000 | ￥807.873 | ￥2,423,619.00 |
| 9000 - 9000 | ￥764.786 | ￥2,294,358.00 |
| 12000 - 12000 | ￥743.243 | ￥2,229,729.00 |
| 15000 + | ￥721.70 | ￥2,165,100.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 186-1287
- メーカー型番:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
未対応
詳細情報
コンパクトなデザインの省スペース (8 x 8 mm)
低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制
低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化
鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
代表的用途
動力工具、電池によって作動させた真空
UAV/Drones 、マテリアルハンドリング
BMS / ストレージ、ホームオートメーション
低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制
低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化
鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
代表的用途
動力工具、電池によって作動させた真空
UAV/Drones 、マテリアルハンドリング
BMS / ストレージ、ホームオートメーション
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 554.5 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
| パッケージタイプ | DFNW8 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 660 μ Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V |
| 最大パワー消費 | 245.4 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | ±20 V |
| 幅 | 8mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 長さ | 8.1mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 126 NC （ 4.5 V |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
| 高さ | 1.15mm |
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