onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, NTP110N65S3HF

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梱包形態
RS品番:
186-1355
メーカー型番:
NTP110N65S3HF
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

240W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

62nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

4.7 mm

長さ

10.67mm

高さ

16.3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

未対応

SUPERFET III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、 SUPERFET III MOSFET は、さまざまな電源システムを小型化して高効率化するのに最適です。SUPERFET III FRFET MOSFET を使用すれば、ボディダイオードの最適化された逆回復性能により、追加のコンポーネントを取り外してシステムの信頼性を高めることができます。

700 V @ TJ = 150 °C

超低ゲート電荷（標準） QG = 62 nC ）

低実効出力静電容量（標準） Coss （実効） = 522 pF ）

静電容量を最適化

優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)

標準 RDS （ on ） = 98 m Ω

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

低スイッチング損失

低スイッチング損失

LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮

低ピークVds、低Vgs振幅

用途

電気通信

クラウドシステム

産業用

最終製品

通信電力

サーバー電力

EV充電器

太陽光発電 / UPS

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