onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 40 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 186-1481
- メーカー型番:
- NVB082N65S3F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は2個
¥1,430.50
(税抜)
¥1,573.55
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
2 - 38 | ¥1,430.50 | ¥2,861.00 |
40 - 378 | ¥1,388.50 | ¥2,777.00 |
380 - 498 | ¥1,070.50 | ¥2,141.00 |
500 - 638 | ¥922.50 | ¥1,845.00 |
640 + | ¥891.50 | ¥1,783.00 |
* 購入単位ごとの価格
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- 186-1481
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- NVB082N65S3F
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- onsemi
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詳細情報
SuperFET ® III MOSFET ON Semiconductor の新しい高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリは、チャージ・バランス・テクノロジーを利用して、優れた低オン抵抗と低ゲート・チャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。そのため、 SuperFET III MOSFET は、小型化と高効率化のための各種電源システムに最適です。SuperFET III FRFET ® MOSFET は、ボディダイオードの最適な逆回復性能により、追加コンポーネントを除去し、システムの信頼性を向上させます。
700 V @ TJ = 150 °C
標準 RDS ( ON ) = 64 m
超低ゲート電荷量(標準Qg = 81 nC)
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 722 pF)
鉛フリー
代表的用途
車載用充電器
HEV 用自動車 DC/DC コンバータ
標準 RDS ( ON ) = 64 m
超低ゲート電荷量(標準Qg = 81 nC)
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 722 pF)
鉛フリー
代表的用途
車載用充電器
HEV 用自動車 DC/DC コンバータ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 40 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 82 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大パワー消費 | 313 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±30 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
幅 | 9.65mm |
動作温度 Max | +150 °C |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
長さ | 10.67mm |
自動車規格 | AEC-Q101 |
順方向ダイオード電圧 | 1.3V |
高さ | 4.58mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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