onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 20 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, NVB190N65S3F

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梱包形態
RS品番:
195-2667
メーカー型番:
NVB190N65S3F
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

162W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

10.67mm

高さ

4.58mm

幅

9.65 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

SUPERFET III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。SuperFET II FRFET® MOSFETの最適化されたボディーダイオード逆回復性能は、追加の部品の必要をなくし、システムの信頼性を向上させます。

701 V @ TJ = 150 °C

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

超低ゲートチャージ(標準Qg = 33 nC)

低スイッチング損失

低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 1154 pF)

低スイッチング損失

PPAP対応

標準 RDS （ on ） = 158 m Ω

用途

DC/DCコンバータ

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