2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 850 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SQ1922AEEH-T1_GE3 パッケージSOT-363

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥1,768.00

(税抜)

￥1,944.75

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年10月14日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
25 - 125￥70.72￥1,768
150 - 1350￥61.24￥1,531
1375 - 1725￥52.96￥1,324
1750 - 2225￥43.60￥1,090
2250 +￥35.32￥883

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
188-5029
メーカー型番:
SQ1922AEEH-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

850mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SOT-363

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

530mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.9nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.5W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

デュアル

長さ

2.2mm

高さ

1mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

車載用デュアル N チャンネル 20 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET です。

TrenchFET®パワーMOSFET

関連ページ