2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 850 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SQ1922AEEH-T1_GE3 パッケージSOT-363

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梱包形態
RS品番:
188-5029
メーカー型番:
SQ1922AEEH-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

850mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-363

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

530mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

1.5W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.9nC

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

デュアル

高さ

1mm

長さ

2.2mm

規格 / 承認

No

幅

1.35 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

車載用デュアル N チャンネル 20 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET です。

車載用デュアル N チャンネル 20 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET です。

TrenchFET®パワーMOSFET

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