2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 7 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQ4946CEY-T1_GE3 パッケージSO-8

RS品番:: 228-2946
メーカー型番:: SQ4946CEY-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 7 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQ4946CEY-T1_GE3 パッケージSO-8

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	40mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	11.7nC
	順方向電圧 Vf	1.1V
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	AEC-Q101
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11.7nC
	順方向電圧 Vf 1.1V
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 AEC-Q101
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 7 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQ4946CEY-T1_GE3 パッケージSO-8

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