STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 5 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージIPAK
- RS品番:
- 188-8290
- メーカー型番:
- STD5NM60T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥140.506 | ¥351,265 |
| 5000 - 22500 | ¥137.093 | ¥342,733 |
| 25000 - 35000 | ¥133.679 | ¥334,198 |
| 37500 - 47500 | ¥130.257 | ¥325,643 |
| 50000 + | ¥126.843 | ¥317,108 |
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- RS品番:
- 188-8290
- メーカー型番:
- STD5NM60T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | IPAK | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 96W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 高さ | 6.2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 2.4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 IPAK | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 96W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.6mm | ||
高さ 6.2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 2.4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
MDmesh™は、マルチドレイン・プロセスと同社のPowerMESH™水平レイアウトを組み合わせた新しい革新的なパワーMOSFET技術である。その結果、優れた低オン抵抗、印象的な高dv/dt、優れたアバランシェ特性を実現した。同社独自のストリップ技術を採用することで、全体的にダイナミックなパフォーマンスが得られる。
低い入力キャパシタンスとゲート電荷
高いdv/dtとアバランシェ性能
低ゲート入力抵抗
用途
スイッチング・アプリケーション
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