STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 5 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージIPAK, STD5NM60T4

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梱包形態
RS品番:
188-8455
メーカー型番:
STD5NM60T4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

IPAK

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

96W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

6.6mm

高さ

6.2mm

規格 / 承認

No

幅

2.4 mm

自動車規格

なし

MDmesh™は、マルチドレイン・プロセスと同社のPowerMESH™水平レイアウトを組み合わせた新しい革新的なパワーMOSFET技術である。その結果、優れた低オン抵抗、印象的な高dv/dt、優れたアバランシェ特性を実現した。同社独自のストリップ技術を採用することで、全体的にダイナミックなパフォーマンスが得られる。

低い入力キャパシタンスとゲート電荷

高いdv/dtとアバランシェ性能

低ゲート入力抵抗

用途

スイッチング・アプリケーション

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