STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 11 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD13N60DM2

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梱包形態
RS品番:
188-8407
メーカー型番:
STD13N60DM2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.5nC

最大許容損失Pd

110W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

2.17mm

幅

6.2 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.6mm

自動車規格

なし

この高電圧NチャネルパワーMOSFETは、MDmesh™ DM2高速回復ダイオードシリーズの一部です。非常に低いリカバリーチャージ（Qrr）と時間（trr）を低いRDS（on）と組み合わせることで、最も要求の厳しい高効率コンバーターに適しており、ブリッジトポロジーやZVS位相シフトコンバーターに理想的です。

高速回復ボディダイオード

極めて低いゲート電荷と入力容量

低オン抵抗

極めて高い dv/dt 耐久性

ツェナー保護

用途

スイッチング・アプリケーション

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