STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥412,750.00

(税抜)

￥454,025.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月27日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥165.10￥412,750
5000 - 22500￥162.672￥406,680
25000 - 35000￥160.244￥400,610
37500 - 47500￥157.816￥394,540
50000 +￥155.388￥388,470

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
210-8741
メーカー型番:
STD15N60DM6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

338mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.6V

最大許容損失Pd

110W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15.3nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

6.2 mm

規格 / 承認

No

高さ

2.4mm

長さ

6.6mm

自動車規格

なし

STMicroelectronics 高電圧 N チャンネルパワー MOSFET は、メッシュ DM6 高速リカバリダイオードシリーズに属しています。前世代のメッシュ高速化と比較して、 DM6 は、非常に低いリカバリチャージ（ Qrr ）、リカバリ時間（ trr ）、およびエリアごとの RDS （ on ）の優れた向上を、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジおよび ZVS 位相シフトコンバータの市場で最も効果的なスイッチング動作の 1 つと組み合わせています。

高速リカバリボディダイオード

前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります

低ゲート電荷量、入力静電容量、及び抵抗

アバランシェ100 %テスト済み

非常に高い dv/dt 耐量

ツェナー保護

関連ページ