1 STMicroelectronics MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 40 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, STL40DN3LLH5 パッケージPowerFLAT

RS品番:: 188-8491
メーカー型番:: STL40DN3LLH5
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

1 STMicroelectronics MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 40 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, STL40DN3LLH5 パッケージPowerFLAT

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150 - 1390	￥181.00	￥1,810
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RS品番:: 188-8491
メーカー型番:: STL40DN3LLH5
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	STripFET
	パッケージ型式	PowerFLAT
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	25mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	22 V
	最大許容損失Pd	50W
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	4.5nC
	トランジスタ構成	シングル
	動作温度 Max	175°C
	高さ	0.95mm
	幅	5.1 mm
	長さ	6.2mm
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	1
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ STripFET
	パッケージ型式 PowerFLAT
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 25mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 22 V
	最大許容損失Pd 50W
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.5nC
	トランジスタ構成シングル
	動作温度 Max 175°C
	高さ 0.95mm
	幅 5.1 mm
	長さ 6.2mm
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 1
	自動車規格 AEC-Q101

このデバイスは、STマイクロエレクトロニクスのSTripFET™ H5技術を用いて開発されたNチャネル・パワーMOSFETです。このデバイスは、非常に低いオン状態抵抗を達成するために最適化されており、このクラスで最高レベルのFoMに貢献している。

低オン抵抗

高い雪崩耐久性

低いゲート駆動電力損失

ウェッタブル・フランク・パッケージ

用途

スイッチング・アプリケーション