Wolfspeed MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, C3M0075120K

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計:*

¥50,493.00

(税抜)

¥55,542.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月19日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120¥1,683.10¥50,493
150 - 270¥1,658.333¥49,750
300 - 720¥1,633.60¥49,008
750 - 1470¥1,608.833¥48,265
1500 +¥1,584.067¥47,522

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
192-3375
メーカー型番:
C3M0075120K
メーカー/ブランド名:
Wolfspeed
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Wolfspeed

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

C3M

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

4.5V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

53nC

最大許容損失Pd

113.6W

最大ゲートソース電圧Vgs

19 V

動作温度 Max

150°C

5.21 mm

長さ

16.13mm

規格 / 承認

No

高さ

23.6mm

自動車規格

なし

Wolfspeed は、 Advanced SiC MOSFET 技術を新しい低インダクタンスディスクリートパッキングに導入することで、 SiC 技術のリーダーシップをさらに強化しています。新リリースのパッケージにより、エンジニアは最新の 3MTM プレーナ MOSFET チップの高周波機能を最大限に活用できます。設計者は、シリコンベースの 3 レベルトポロジから、スイッチング性能の向上によって実現される単純な 2 レベルトポロジに移行することで、コンポーネント数を減らすことができます。このデバイスは、低オン抵抗と低ゲート電荷量の組み合わせにより、三相ブリッジレス PFC トポロジ、 AC コンバータ、充電器に最適です。

Wolfspeed は、 Advanced SiC MOSFET 技術を新しい低インダクタンスディスクリートパッキングに導入することで、 SiC 技術のリーダーシップをさらに強化しています。新リリースのパッケージにより、エンジニアは最新の 3MTM プレーナ MOSFET チップの高周波機能を最大限に活用できます。設計者は、シリコンベースの 3 レベルトポロジから、スイッチング性能の向上によって実現される単純な 2 レベルトポロジに移行することで、コンポーネント数を減らすことができます。このデバイスは、低オン抵抗と低ゲート電荷量の組み合わせにより、三相ブリッジレス PFC トポロジ、 AC コンバータ、充電器に最適です。

動作温度範囲全体で最小 1200 V Vbr

新しい低インピーダンスパッケージ(ドライバソース付)

>ドレインとソース間の沿面距離 / クリアランスは 8 mm です

低出力静電容量での高速スイッチング

低RDS(on)の高ブロック電圧

低逆回復損失(Qrr)の高速真性ダイオード

簡単に並列接続して駆動可能

動作温度範囲全体で最小 1200 V Vbr

新しい低インピーダンスパッケージ(ドライバソース付)

>ドレインとソース間の沿面距離 / クリアランスは 8 mm です

低出力静電容量での高速スイッチング

低RDS(on)の高ブロック電圧

低逆回復損失(Qrr)の高速真性ダイオード

簡単に並列接続して駆動可能

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ