Wolfspeed MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, C3M0075120K
- RS品番:
- 192-3375
- メーカー型番:
- C3M0075120K
- メーカー/ブランド名:
- Wolfspeed
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ¥1,683.10 | ¥50,493 |
| 150 - 270 | ¥1,658.333 | ¥49,750 |
| 300 - 720 | ¥1,633.60 | ¥49,008 |
| 750 - 1470 | ¥1,608.833 | ¥48,265 |
| 1500 + | ¥1,584.067 | ¥47,522 |
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- RS品番:
- 192-3375
- メーカー型番:
- C3M0075120K
- メーカー/ブランド名:
- Wolfspeed
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Wolfspeed | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | C3M | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 75mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 4.5V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 53nC | |
| 最大許容損失Pd | 113.6W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 19 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.21 mm | |
| 長さ | 16.13mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 23.6mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Wolfspeed | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ C3M | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 75mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 4.5V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 53nC | ||
最大許容損失Pd 113.6W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 19 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.21 mm | ||
長さ 16.13mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 23.6mm | ||
自動車規格 なし | ||
Wolfspeed は、 Advanced SiC MOSFET 技術を新しい低インダクタンスディスクリートパッキングに導入することで、 SiC 技術のリーダーシップをさらに強化しています。新リリースのパッケージにより、エンジニアは最新の 3MTM プレーナ MOSFET チップの高周波機能を最大限に活用できます。設計者は、シリコンベースの 3 レベルトポロジから、スイッチング性能の向上によって実現される単純な 2 レベルトポロジに移行することで、コンポーネント数を減らすことができます。このデバイスは、低オン抵抗と低ゲート電荷量の組み合わせにより、三相ブリッジレス PFC トポロジ、 AC コンバータ、充電器に最適です。
Wolfspeed は、 Advanced SiC MOSFET 技術を新しい低インダクタンスディスクリートパッキングに導入することで、 SiC 技術のリーダーシップをさらに強化しています。新リリースのパッケージにより、エンジニアは最新の 3MTM プレーナ MOSFET チップの高周波機能を最大限に活用できます。設計者は、シリコンベースの 3 レベルトポロジから、スイッチング性能の向上によって実現される単純な 2 レベルトポロジに移行することで、コンポーネント数を減らすことができます。このデバイスは、低オン抵抗と低ゲート電荷量の組み合わせにより、三相ブリッジレス PFC トポロジ、 AC コンバータ、充電器に最適です。
動作温度範囲全体で最小 1200 V Vbr
新しい低インピーダンスパッケージ(ドライバソース付)
>ドレインとソース間の沿面距離 / クリアランスは 8 mm です
低出力静電容量での高速スイッチング
低RDS(on)の高ブロック電圧
低逆回復損失(Qrr)の高速真性ダイオード
簡単に並列接続して駆動可能
動作温度範囲全体で最小 1200 V Vbr
新しい低インピーダンスパッケージ(ドライバソース付)
>ドレインとソース間の沿面距離 / クリアランスは 8 mm です
低出力静電容量での高速スイッチング
低RDS(on)の高ブロック電圧
低逆回復損失(Qrr)の高速真性ダイオード
簡単に並列接続して駆動可能
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