Wolfspeed MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥3,210.00

(税抜)

￥3,531.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 25 は 2025年12月29日 に入荷予定
  • 89 は 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 1￥3,210
2 - 19￥3,133
20 - 29￥3,068
30 - 39￥2,991
40 +￥2,927

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
192-3511
メーカー型番:
C3M0075120J
メーカー/ブランド名:
Wolfspeed
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Wolfspeed

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

C3M

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

113.6W

最大ゲートソース電圧Vgs

19 V

順方向電圧 Vf

4.5V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

4.57mm

規格 / 承認

No

幅

9.12 mm

長さ

10.23mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Wolfspeed は、 Advanced SiC MOSFET 技術を新しい低インダクタンスディスクリートパッキングに導入することで、 SiC 技術のリーダーシップをさらに強化しています。新リリースのパッケージにより、エンジニアは最新の 3MTM プレーナ MOSFET チップの高周波機能を最大限に活用できます。設計者は、シリコンベースの 3 レベルトポロジから、スイッチング性能の向上によって実現される単純な 2 レベルトポロジに移行することで、コンポーネント数を減らすことができます。このデバイスは、低オン抵抗と低ゲート電荷量の組み合わせにより、三相ブリッジレス PFC トポロジ、 AC コンバータ、充電器に最適です。

動作温度範囲全体で最小 1200 V Vbr

新しい低インピーダンスパッケージ(ドライバソース付)

>ドレインとソース間の沿面距離 / クリアランスは 7 mm です

低出力静電容量での高速スイッチング

低RDS(on)の高ブロック電圧

低逆回復損失(Qrr)の高速真性ダイオード

簡単に並列接続して駆動可能

関連ページ