onsemi MOSFET エンハンスメント型, 表面, 24-Pin パッケージQFN

NCV51705 ドライバは、主に SiC MOSFET トランジスタを駆動するように設計されています。考えられる導電損失を最小限に抑えるために、ドライバは SiC MOSFET デバイスに最大許容ゲート電圧を供給することができます。ターンオン / ターンオフ時に Peak 電流を供給することで、スイッチング損失も最小化されます。NCV51705 は、信頼性、 dV/dt 耐性、さらには Faster Off を実現するために、内蔵のチャージポンプを使用してユーザー選択可能な負の電圧レールを生成することができます。NCV51705 は、絶縁用途向けに、外部からアクセス可能な 5 V レールを備え、デジタル / 高速光アイソレータの二次側に給電することもできます。