仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	20 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	650 V
	シリーズ	NTMT190N
	パッケージタイプ	PQFN4 8 x 8
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗	0.19 Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	5V
	1チップ当たりのエレメント数	1
	トランジスタ素材	Si

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 20 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 650 V
	シリーズ NTMT190N
	パッケージタイプ PQFN4 8 x 8
	実装タイプ表面実装
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗 0.19 Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 5V
	1チップ当たりのエレメント数 1
	トランジスタ素材 Si

Datasheet - NTMT190N65S3HF

ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET は、高電圧スーパージャンクション（SJ）MOSFETであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先進的な技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられます。

超低ゲート電荷
低実効出力容量： 316 pF
100%アバランシェ耐量試験済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 20 A, 表面実装, 4 ピン, NTMT190N65S3HF

関連ページ