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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	PQFN
	シリーズ	NTMT190N
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	190mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	34nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	最大許容損失Pd	162W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	幅	1.1 mm
	高さ	8.1mm
	長さ	8.1mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 PQFN
	シリーズ NTMT190N
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	最大許容損失Pd 162W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	幅 1.1 mm
	高さ 8.1mm
	長さ 8.1mm
	自動車規格なし

Datasheet - NTMT190N65S3HF

ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET は、高電圧スーパージャンクション（SJ）MOSFETであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先進的な技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられます。

超低ゲート電荷

低実効出力容量： 316 pF

100%アバランシェ耐量試験済み

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 20 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPQFN

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