onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 200 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージLFPAK
- RS品番:
- 195-2508
- メーカー型番:
- NVMJS1D5N04CLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- 195-2508
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- NVMJS1D5N04CLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 200A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | LFPAK | |
| シリーズ | NVMJS1D5N04CL | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 70nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1.15mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4.9 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 200A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 LFPAK | ||
シリーズ NVMJS1D5N04CL | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 70nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1.15mm | ||
長さ 5mm | ||
幅 4.9 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。
コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)
低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制
低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化
LFPAK8 パッケージ(業界標準
PPAP対応
鉛フリー
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