- RS品番:
- 195-2549
- メーカー型番:
- NVMYS021N06CLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は3000 個
¥58.155
(税抜)
¥63.971
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
3000 - 12000 | ¥58.155 | ¥174,465.00 |
15000 - 27000 | ¥56.741 | ¥170,223.00 |
30000 - 72000 | ¥55.328 | ¥165,984.00 |
75000 - 147000 | ¥53.914 | ¥161,742.00 |
150000 + | ¥52.501 | ¥157,503.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 195-2549
- メーカー型番:
- NVMYS021N06CLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
DPAKパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。MOSFET と PPAP 対応のため、基板レベルの信頼性の強化が必要な車載用途に適しています。
コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)
低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制
低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化
LFPAK4 パッケージ、業界標準
PPAP対応
鉛フリー
低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制
低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化
LFPAK4 パッケージ、業界標準
PPAP対応
鉛フリー
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 27 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
パッケージタイプ | LFPAK、SOT-669 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 4 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 31.5 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 2V |
最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V |
最大パワー消費 | 28 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±20 V |
動作温度 Max | +175 °C |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
幅 | 4.25mm |
長さ | 5mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
高さ | 1.15mm |
動作温度 Min | -55 °C |
自動車規格 | AEC-Q101 |
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