onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 36 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK, NVMYS014N06CLTWG

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋30個入り) 小計：*

￥3,504.99

(税抜)

￥3,855.48

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 9,000 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
30 - 120￥116.833￥3,505
150 - 1320￥104.433￥3,133
1350 - 1770￥92.033￥2,761
1800 - 2370￥79.60￥2,388
2400 +￥67.167￥2,015

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
195-2544
メーカー型番:
NVMYS014N06CLTWG
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

36A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

NVMYS014N06CL

パッケージ型式

LFPAK

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

21.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

37W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

幅

4.25 mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

高さ

1.15mm

自動車規格

AEC-Q101

DPAKパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。MOSFET と PPAP 対応のため、基板レベルの信頼性の強化が必要な車載用途に適しています。

コンパクト設計のための小型フットプリント(5 x 6 mm)

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

LFPAK4 パッケージ、業界標準

PPAP対応

鉛フリー

関連ページ