onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 313 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN
- RS品番:
- 195-2663
- メーカー型番:
- NTMFSC0D9N04CL
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 45000 - 57000 | ¥108.972 | ¥326,916 |
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- RS品番:
- 195-2663
- メーカー型番:
- NTMFSC0D9N04CL
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 313A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 850μΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 167W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 143nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 5.9mm | |
| 幅 | 5 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.95mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 313A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 850μΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 167W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 143nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 5.9mm | ||
幅 5 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.95mm | ||
自動車規格 なし | ||
この N チャンネル MOSFET は、 ON Semiconductor の Advanced Power Trench ® プロセスを使用して生産されています。シリコンと Dual Cool ™パッケージテクノロジの進歩により、低い rDS ( on )を実現すると同時に、ジャンクションから周囲までの熱抵抗を極めて低く抑えて、優れたスイッチング性能を維持しています。
TOP / ボトムは標準の 5 x 6 mm ピン配列で露出します
パッケージの TOP とボトムサイドで放熱性能を向上させました
超低Rds(on)
導電損失を低減
静電容量とパッケージインダクタンスが低減しています
スイッチング損失の低減
用途
AC-DC / DC-DC 電源の同期整流器
モータスイッチ
負荷スイッチ
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