onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 316 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥1,178,253.00

(税抜)

￥1,296,078.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月12日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥392.751￥1,178,253
6000 - 27000￥388.686￥1,166,058
30000 - 42000￥384.622￥1,153,866
45000 - 57000￥380.557￥1,141,671
60000 +￥376.494￥1,129,482

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
195-2672
メーカー型番:
NVMFSC0D9N04CL
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

316A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

86nC

最大許容損失Pd

166W

動作温度 Max

175°C

高さ

0.95mm

幅

5 mm

長さ

5.9mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

3 x 3 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

NVMFS5C410NWF - ウェッタブルフランクオプション

光学検査を強化

PPAP対応

用途

逆バッテリ保護

スイッチング電源

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

関連ページ