onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 224 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, NVMFSC1D6N06CL

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥6,854.00

(税抜)

¥7,539.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 2,990 は海外在庫あり(最終在庫)

単価
購入単位毎合計*
10 - 140¥685.40¥6,854
150 - 1390¥671.60¥6,716
1400 - 1890¥606.80¥6,068
1900 - 2390¥523.80¥5,238
2400 +¥505.80¥5,058

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
195-2675
メーカー型番:
NVMFSC1D6N06CL
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

224A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

166W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

91nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

0.95mm

長さ

5.9mm

自動車規格

AEC-Q101

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

PPAP対応

用途

パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)

逆バッテリ保護

スイッチング電源

関連ページ