Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 16 A, 193 mΩ, 32 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK 8 x 8
- RS品番:
- 200-6811
- メーカー型番:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 6000 - 27000 | ￥440.804 | ￥1,322,412 |
| 30000 - 42000 | ￥435.493 | ￥1,306,479 |
| 45000 - 57000 | ￥430.308 | ￥1,290,924 |
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- RS品番:
- 200-6811
- メーカー型番:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 16A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 8 x 8 | |
| シリーズ | EF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 193mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 114W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 8.1mm | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 幅 | 1.05mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 16A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 8 x 8 | ||
シリーズ EF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 193mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 114W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 8.1mm | ||
長さ 8.1mm | ||
幅 1.05mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIH186N60EF-T1GE3 は、高速ボディダイオードを搭載した EF シリーズパワー MOSFET です。
第 4 世代 E シリーズテクノロジー
低性能指数
低実効静電容量
スイッチング損失及び導電損失を低減
アバランシェエネルギー定格（ UIS ）
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