型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 16 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SIHH186N60EF-T1GE3

RS品番:: 200-6811
メーカー型番:: SIHH186N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 16 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SIHH186N60EF-T1GE3

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30000 - 42000	￥456.11	￥1,368,330
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RS品番:: 200-6811
メーカー型番:: SIHH186N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	16A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	PowerPAK 8 x 8
	シリーズ	EF
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	193mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	32nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	114W
	動作温度 Max	150°C
	高さ	8.1mm
	幅	1.05 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	8.1mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 16A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 PowerPAK 8 x 8
	シリーズ EF
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 193mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 114W
	動作温度 Max 150°C
	高さ 8.1mm
	幅 1.05 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 8.1mm
	自動車規格なし

Document- SIHH186N60EF-T1GE3

Vishay SIH186N60EF-T1GE3 は、高速ボディダイオードを搭載した EF シリーズパワー MOSFET です。

第 4 世代 E シリーズテクノロジー

低性能指数

低実効静電容量

スイッチング損失及び導電損失を低減

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 16 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SIHH186N60EF-T1GE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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