Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 26 A デプレッション型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SiHH105N60EF-T1GE3

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梱包形態
RS品番:
239-8632
メーカー型番:
SiHH105N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

26A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PowerPAK 8 x 8

シリーズ

EF

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.09Ω

チャンネルモード

デプレッション型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

174W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33nC

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Vishay EFシリーズは、高速ボディダイオードを備えたパワーMOSFETです。このMOSFETは、サーバー及び通信電源、溶接、モータドライブに使用されます。

第4世代Eシリーズテクノロジ

低実効容量

低スイッチング損失、低導電損失

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