Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 26 A, 0.091 Ω, 33 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK 8 x 8
- RS品番:
- 239-8632
- メーカー型番:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 239-8632
- メーカー型番:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 26A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | EF | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 8 x 8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.091Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最大許容損失Pd | 174W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 26A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ EF | ||
パッケージ型式 PowerPAK 8 x 8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.091Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 33nC | ||
最大許容損失Pd 174W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay EFシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧650V、最大連続ドレイン電流26A - SiHH105N60EF-T1GE3
このパワーMOSFETは、産業および自動車環境での表面実装用途向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、中程度の連続電流容量とゲート駆動特性を備えた堅牢な高電圧スイッチングを必要とする回路向けに設計されています。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチングに対応
• 連続ドレイン電流 26A により、大きな負荷電流に対応
• 0.091Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 174W により、継続的な熱負荷に対応
• 33nC標準ゲート充電により、予測可能なドライブ要件を実現
• 30Vのゲート定格電圧により、一般的なゲートドライブスキームをサポート
• 連続ドレイン電流 26A により、大きな負荷電流に対応
• 0.091Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 174W により、継続的な熱負荷に対応
• 33nC標準ゲート充電により、予測可能なドライブ要件を実現
• 30Vのゲート定格電圧により、一般的なゲートドライブスキームをサポート
用途
• 産業用電源の高電圧DC-DCコンバータに最適
• AEC‐Q101の要件を満たす車載用電源モジュールに最適
• SMPSおよびインバータの一次側スイッチングに使用
• 電動化システムのモーター駆動ハーフブリッジステージに使用可能
• 表面実装を必要とする堅牢な電子アセンブリに最適
• AEC‐Q101の要件を満たす車載用電源モジュールに最適
• SMPSおよびインバータの一次側スイッチングに使用
• 電動化システムのモーター駆動ハーフブリッジステージに使用可能
• 表面実装を必要とする堅牢な電子アセンブリに最適
コンパクトなアセンブリには、どのような取り付け形式を使用しますか?
PowerPAK 8x8形式で提供され、表面実装用に設計されており、高密度のプリント基板レイアウトと銅注入への熱結合を容易にします。
幅広い温度条件でどのように動作しますか？
-55°C～+150°Cで動作するように設計されているため、適切に冷却された状態で、過酷な環境や高いジャンクションシナリオでも機能します。
どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
このデバイスは、30 Vを超えるゲートソース電圧を駆動しないでください。標準的なゲート電荷は33nCで、ピークドライブ電流とドライバの選択を示します。
自動車認定要件に適していますか?
このデバイスはAEC‐Q101自動車規格に適合しており、その認証を必要とする車両グレードの電子設計に適しています。
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