Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 350 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
200-6823
メーカー型番:
SQJA36EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

350A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SQJA36EP

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.24mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

107nC

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

500W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

4.2mm

高さ

6.25mm

1.1 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay SQJA36EP-T1-GE3 は、車載用 N チャンネル 40 V ( D-S ) 175 ° C MOSFET です。

Vishay SQJA36EP-T1-GE3 は、車載用 N チャンネル 40 V ( D-S ) 175 ° C MOSFET です。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

Qgd/qgs 1 で<スイッチングを最適化

特性

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

Qgd/qgs 1 で<スイッチングを最適化

特性

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