型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 350 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8

RS品番:: 200-6823
メーカー型番:: SQJA36EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 350 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8

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150 - 1350	￥234.88	￥5,872
1375 - 1725	￥208.68	￥5,217
1750 - 2225	￥182.40	￥4,560
2250 +	￥155.28	￥3,882

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RS品番:: 200-6823
メーカー型番:: SQJA36EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	350A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	SQJA36EP
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.24mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	107nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	500W
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Max	150°C
	高さ	6.25mm
	長さ	4.2mm
	幅	1.1 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 350A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ SQJA36EP
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.24mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 107nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 500W
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Max 150°C
	高さ 6.25mm
	長さ 4.2mm
	幅 1.1 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

Document- SQJA36EP-T1_GE3

Vishay SQJA36EP-T1-GE3 は、車載用 N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET です。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

Qgd/qgs 1 で<スイッチングを最適化

特性

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 350 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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