型番

Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 75 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

RS品番:: 178-3722
メーカー型番:: SQJA76EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 75 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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6000 - 27000	￥87.219	￥261,657
30000 - 42000	￥85.475	￥256,425
45000 - 57000	￥83.766	￥251,298
60000 +	￥82.091	￥246,273

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RS品番:: 178-3722
メーカー型番:: SQJA76EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay Siliconix
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	75A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	66nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	66W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	1.07mm
	長さ	5.99mm
	幅	5 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay Siliconix
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 75A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 66nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 66W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 1.07mm
	長さ 5.99mm
	幅 5 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:: CN

TrenchFET®パワーMOSFET

Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 75 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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