STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 45 A 650 V, 表面実装 エンハンスメント型, 7-Pin, SCTH35N65G2V-7 パッケージH2PAK-7
- RS品番:
- 201-0891
- メーカー型番:
- SCTH35N65G2V-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 201-0891
- メーカー型番:
- SCTH35N65G2V-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 45A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SCTH35 | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.055Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 45A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SCTH35 | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.055Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
STMicroelectronics 650 VシリコンカーバイドパワーMOSFETの定格電流は45 Aで、 ドレイン-ソース抵抗: 55 mΩ 単位面積あたりの低オン抵抗と非常に優れたスイッチング性能を備えています。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。
非常に高速で堅牢なボディダイオード
低容量
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