STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 45 A, 表面実装, 7 ピン, SCTH35N65G2V-7

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RS品番:
201-0891
メーカー型番:
SCTH35N65G2V-7
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

45 A

最大ドレイン-ソース間電圧

650 V

パッケージタイプ

H2PAK-7

シリーズ

SCTH35

実装タイプ

表面実装

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗

0.055 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

3.2V

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

SiC

STMicroelectronics 650 V シリコンカーバイドパワー MOSFET は、定格電流が 45 A 、ドレイン - ソース間抵抗が 55 m Ω となっています。ユニット面積あたりのオン抵抗が低く、スイッチング性能が非常に優れています。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。

非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
低静電容量

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