STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 45 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージH2PAK, SCTH35N65G2V-7AG

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梱包形態
RS品番:
224-9999
メーカー型番:
SCTH35N65G2V-7AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

45A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

H2PAK

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

67mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

最大許容損失Pd

208W

順方向電圧 Vf

3.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

4.8 mm

高さ

15.25mm

長さ

10.4mm

自動車規格

なし

STMicroelectronicsのSiC MOSFETデバイスは、STの高度で革新的な第2世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。単位面積あたりのオン抵抗が非常に低く、優れたスイッチング性能を発揮します。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。

非常に高速で堅牢なボディダイオードを内蔵

ゲート電荷量と入力静電容量が非常に低い

ソース検出ピンで効率アップ

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