STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 600 V, 13 A, 230 mΩ, 16.8 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 203-3433
- メーカー型番:
- STD18N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 203-3433
- メーカー型番:
- STD18N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | M6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 230mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 10.1mm | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 13A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ M6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 230mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16.8nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 10.1mm | ||
長さ 6.6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronics N チャンネル MDmesh M6 パワー MOSFET は、 SJ MOSFET のウェルノウン及び統合された MDmesh ファミリに対する最新の進歩を反映しています。STMicroelectronics 製の新しい M6 技術を利用した旧世代の MDmesh デバイスです。これにより、エリアごとに優れた RDS （ on ）が実現し、最も効果的なスイッチング動作の 1 つとなっており、ユーザーフレンドリな体験が実現し、エンドアプリケーションの効率を最大限に高めることができます。
スイッチング損失の低減
低ゲート入力抵抗
アバランシェ100 %テスト済み
ツェナー保護
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