STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 12 V, 4 A, 0.04 Ω, 8ピン, パッケージ:TSOT23-8L
- RS品番:
- 203-3437
- メーカー型番:
- STEF512GR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 203-3437
- メーカー型番:
- STEF512GR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 12V | |
| シリーズ | E-Fuse | |
| パッケージ型式 | TSOT23-8L | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.04Ω | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 12V | ||
シリーズ E-Fuse | ||
パッケージ型式 TSOT23-8L | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.04Ω | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
STMicroelectronicsの内蔵デュアル電子ヒューズは、ホットスワップ動作とインラッシュ電流制御を必要とする用途で、出力の回路を過電流や過電圧イベントから保護するように設計されています。2つの独立した電子ヒューズを組み込み、1つは5 Vレール用、1つは12 Vレール用です。内蔵パワーFETのオン抵抗が非常に低いため、通常の動作中にメイン電源から負荷までの電圧降下は非常に低くなります。STEF512GRは、過負荷状態が発生すると、出力電流を事前に定義された安全値に制限します。スタートアップ時間は、関連するピンに接続された2つの小型ソフトスタートコンデンサを介して、各eヒューズに対してユーザーによって調整できます。
ラッチオフ熱保護
入力電圧低下ロックアウト
TSOT23-8LパッケージタイプのSAS無効ピン
正確な出力オーバー電圧クランプ
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