型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 46 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8, SQJA81EP-T1_GE3

RS品番:: 204-7240
メーカー型番:: SQJA81EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 46 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8, SQJA81EP-T1_GE3

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RS品番:: 204-7240
メーカー型番:: SQJA81EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	46A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	SQJA81EP
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	17.3mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	68W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	13nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	高さ	1mm
	長さ	6.25mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 46A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ SQJA81EP
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 17.3mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 68W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	高さ 1mm
	長さ 6.25mm
	自動車規格なし

Vishay Automotive P チャンネル 80 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は AEC-Q101 認定を取得しています。

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 46 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8, SQJA81EP-T1_GE3

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