Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8, SQJB46EP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
210-5055
メーカー型番:
SQJB46EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SQJB46EP_RC

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

34W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

5mm

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

幅

6.25 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay MOSFET には、 PowerPak SO-8L パッケージタイプがあります。

フォスター／タンク内の電気回路の R-C 値および 注意 / フィルタの構成も含まれています

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