onsemi Nチャンネル MOSFET150 V 61 A 表面実装 パッケージPQFN8 8 ピン

ON Semiconductor Power Trench シリーズ 150 V N チャンネル MOSFET は、シールドゲート技術を採用した Advanced Process を使用して生産されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。

最大ドレイン電流定格は 61A です
ソース間のドレイン抵抗定格は 14 mhm です
小型設計向けの小型フットプリント（ 5 mm x 6 mm ）です
低 RDS （ on ）で、導電損失を最小限に抑えます
低 QG 及び静電容量によりドライバ損失を最小化
100% UIL テスト済み
パッケージは Power 56 （ PQFN8 ）

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。