onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 150 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, NTTFS1D8N02P1E

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梱包形態
RS品番:
205-2432
メーカー型番:
NTTFS1D8N02P1E
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

150A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

Power

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

46W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

0.7mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.2mm

幅

3.2 mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor Power33 シリーズ 25 V N チャンネル MOSFET は、シールド付きゲート技術を採用した Advanced Process を使用して製造されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。

最大ドレイン電流定格： 150 A

ソース間のドレイン抵抗定格は 1.3 mhm です

コンパクト設計のための小型フットプリント

低 RDS （ on ）で、導電損失を最小限に抑えます

低 QG 及び静電容量によりドライバ損失を最小化

100% UIL テスト済み

パッケージは Power 33 （ PQFN8 ）

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