DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI5060

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥206,757.50

(税抜)

￥227,432.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年1月04日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥82.703￥206,758
5000 - 22500￥81.701￥204,253
25000 - 35000￥79.876￥199,690
37500 - 47500￥78.03￥195,075
50000 +￥76.204￥190,510

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
206-0094
メーカー型番:
DMNH4004SPS-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

DMNH4004

パッケージ型式

PowerDI5060

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

40nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

2.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.6mm

高さ

0.9mm

幅

4.7 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN
DiodesZetex 40 V N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率の電源管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、熱消費電力は 1.3 W です。

DiodesZetex 40 V N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率の電源管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、熱消費電力は 1.3 W です。

定格 +175 ° C は、高周囲温度環境に最適です

低 Qg - スイッチング損失を最小化します

定格 +175 ° C は、高周囲温度環境に最適です

低 Qg - スイッチング損失を最小化します

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ