DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI5060

MOSFET・モスフェット の一覧へ

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥795,325.00

(税抜)

￥874,850.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,500 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 +￥318.13￥795,325

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
206-0140
メーカー型番:
DMT4001LPS-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

DMT4001

パッケージ型式

PowerDI5060

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

160nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2.6W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

5.15 mm

高さ

0.9mm

長さ

6.15mm

自動車規格

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

COO（原産国）:
CN
DiodesZetex 40 V 、 8 ピン N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率の電源管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、放熱性能は 2.6 W です。

高変換効率

低 RDS （ ON ） - 状態損失を最小限に抑えます

関連ページ