DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 20.1 kA エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI5060
- RS品番:
- 206-0158
- メーカー型番:
- DMTH10H4M5LPS-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥175.469 | ¥438,673 |
| 5000 - 22500 | ¥172.889 | ¥432,223 |
| 25000 - 35000 | ¥170.308 | ¥425,770 |
| 37500 - 47500 | ¥167.728 | ¥419,320 |
| 50000 + | ¥165.148 | ¥412,870 |
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- RS品番:
- 206-0158
- メーカー型番:
- DMTH10H4M5LPS-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20.1kA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | DMTH10 | |
| パッケージ型式 | PowerDI5060 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 2.7W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 5.15 mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 20.1kA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ DMTH10 | ||
パッケージ型式 PowerDI5060 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 2.7W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 5.15 mm | ||
高さ 0.9mm | ||
長さ 6.15mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
DiodesZetex 100 V 、 8 ピン N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。このデバイスは、ノートブックのバッテリ電力管理及び負荷スイッチでの使用に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、 2.7 W の熱消費電力です。
低オン抵抗
高速スイッチング速度
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