東芝電池 MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
206-9726
メーカー型番:
TK090N65Z,S1F(S
メーカー/ブランド名:
Toshiba
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ブランド

Toshiba

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

TK090N65Z

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

90mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

-1.7V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

230W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

47nC

動作温度 Max

150°C

高さ

5.02mm

長さ

40.02mm

規格 / 承認

No

幅

15.94 mm

自動車規格

なし

Toshiba シリコン N チャンネル MOSFET は、低静電容量で高速スイッチング特性を備えています。主にスイッチング電源で使用されます。

低ドレイン - ソース間オン抵抗： 0.075 ？

保管温度： -55 → 150 ° C

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