東芝電池 MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, TK090N65Z,S1F(S
- RS品番:
- 206-9725
- メーカー型番:
- TK090N65Z,S1F(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
1 本(1本30個入り) 小計：*
￥32,268.99
(税抜)
￥35,495.88
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 180 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 + | ￥1,075.633 | ￥32,269 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 206-9725
- メーカー型番:
- TK090N65Z,S1F(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | TK090N65Z | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 90mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 47nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 230W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.7V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 5.02mm | |
| 長さ | 40.02mm | |
| 幅 | 15.94 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ TK090N65Z | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 90mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 47nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 230W | ||
順方向電圧 Vf -1.7V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 5.02mm | ||
長さ 40.02mm | ||
幅 15.94 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Toshiba シリコン N チャンネル MOSFET は、低静電容量で高速スイッチング特性を備えています。主にスイッチング電源で使用されます。
低ドレイン - ソース間オン抵抗： 0.075 ？
保管温度： -55 → 150 ° C