Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 130 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
210-5002
メーカー型番:
SIR680LDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

130A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiR680LDP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.33mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

90nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.12mm

幅

5.26 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8 パッケージタイプで、ドレイン電流が 130 A です。

Vishay N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8 パッケージタイプで、ドレイン電流が 130 A です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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