Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 81 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiR104LDP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
204-7222
メーカー型番:
SiR104LDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

81A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SiR104LDP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

100W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

6.25mm

幅

1.12 mm

長さ

5.26mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET は、超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整されています。

Vishay N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET は、超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整されています。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

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