STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 650 V, 40 A, 67 mΩ, 73 nC, 4ピン, パッケージ：PowerFLAT
- RS品番:
- 213-3942
- メーカー型番:
- SCTL35N65G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 213-3942
- メーカー型番:
- SCTL35N65G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerFLAT | |
| シリーズ | SCTL35N65G2V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 67mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 3.3V | |
| 最大許容損失Pd | 417W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 73nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 0.95mm | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerFLAT | ||
シリーズ SCTL35N65G2V | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 67mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 3.3V | ||
最大許容損失Pd 417W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 73nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 0.95mm | ||
長さ 8.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
STマイクロエレクトロニクスのSCTL35N65G2V炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスは、先進的で革新的な第2世代SiC MOSFET技術を使用して開発され、単位面積当たりのオン抵抗が著しく低く、非常に優れたスイッチング性能を備えています。
非常に高速で堅牢なボディダイオード
低キャパシタンス
効率を高めるソース検知ピン
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