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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	25A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	PowerFLAT
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	110mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	44nC
	最大許容損失Pd	160W
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.5V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	8.1mm
	幅	8.1 mm
	高さ	0.9mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 25A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 PowerFLAT
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 44nC
	最大許容損失Pd 160W
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.5V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 8.1mm
	幅 8.1 mm
	高さ 0.9mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

この高電圧 N チャネルパワー MOSFET は、 MDmesh ™ DM6 高速リカバリダイオードシリーズの一部です。DM6 は、従来の MDmesh の高速世代と比較して、非常に低いリカバリチャージ（ Qrr ）、リカバリ時間（ trr ）、およびエリアごとの RDS （ on ）の優れた改善と、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジおよび ZVS 位相シフトコンバータの効果的なスイッチング動作を兼ね備えています。

高速リカバリボディダイオード

前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります

低ゲート電荷量、入力静電容量、及び抵抗

非常に高い dv/dt 耐量

ツェナー保護

STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージPowerFLAT

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