STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージPowerFLAT

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥1,778,268.00

(税抜)

￥1,956,096.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年12月28日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥592.756￥1,778,268
6000 - 6000￥584.039￥1,752,117
9000 - 9000￥575.322￥1,725,966
12000 - 12000￥566.605￥1,699,815
15000 +￥557.888￥1,673,664

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
192-4659
メーカー型番:
STL45N60DM6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerFLAT

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

最大許容損失Pd

160W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44nC

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Max

150°C

高さ

0.9mm

幅

8.1 mm

規格 / 承認

No

長さ

8.1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
この高電圧 N チャネルパワー MOSFET は、 MDmesh ™ DM6 高速リカバリダイオードシリーズの一部です。DM6 は、従来の MDmesh の高速世代と比較して、非常に低いリカバリチャージ（ Qrr ）、リカバリ時間（ trr ）、およびエリアごとの RDS （ on ）の優れた改善と、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジおよび ZVS 位相シフトコンバータの効果的なスイッチング動作を兼ね備えています。

高速リカバリボディダイオード

前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります

低ゲート電荷量、入力静電容量、及び抵抗

非常に高い dv/dt 耐量

ツェナー保護

関連ページ