DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 248 A エンハンスメント型, 8-Pin パッケージPowerDI1012
- RS品番:
- 213-9225
- メーカー型番:
- DMTH10H2M5STLW-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 1500 - 1500 | ¥466.667 | ¥700,001 |
| 3000 - 13500 | ¥459.804 | ¥689,706 |
| 15000 - 21000 | ¥452.941 | ¥679,412 |
| 22500 - 28500 | ¥446.079 | ¥669,119 |
| 30000 + | ¥439.216 | ¥658,824 |
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- RS品番:
- 213-9225
- メーカー型番:
- DMTH10H2M5STLW-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 248A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | PowerDI1012 | |
| シリーズ | DMTH10H2M5STLW | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 124.4nC | |
| 最大許容損失Pd | 230.8W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 11.68 mm | |
| 長さ | 9.9mm | |
| 高さ | 2.3mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 248A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 PowerDI1012 | ||
シリーズ DMTH10H2M5STLW | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 124.4nC | ||
最大許容損失Pd 230.8W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 11.68 mm | ||
長さ 9.9mm | ||
高さ 2.3mm | ||
自動車規格 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
DiodesZetex DMTH10H2M5STLW シリーズ MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率の電源管理用途に最適です。
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