Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 180 A, 1.7 mΩ, 195 nC, 7ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
214-4363
メーカー型番:
IPB017N10N5LFATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

195nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

313W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

幅

9.45mm

規格 / 承認

No

長さ

10.31mm

高さ

4.57mm

自動車規格

なし

インフィニオン OptiMOS シリーズ MOSFET、最大ドレインソース電圧 100V、最大連続ドレイン電流 180A - IPB017N10N5LFATMA1


この MOSFET は、過酷な電力用途向けに設計された大電流Nチャネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、小型アセンブリへの実装に適した表面実装用 TO-263 パッケージで供給されます。このデバイスは、100V クラスシステムで効率的な伝導と堅牢なスイッチングが必要な用途向けに設計されています。

特長:


• 1.7mΩ Rds(on) により、低導通損失と高効率を実現
• 連続ドレイン電流 180A により、大電流負荷に対応
• 高電圧スイッチング用途向けのドレイン-ソース間定格電圧 100V
• 313W の消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 195nC の標準ゲート充電により、制御されたゲートドライブダイナミックを実現
• 20V ゲート許容差により、柔軟なゲートドライブ電圧を実現

用途


• 産業用電源のDC-DCコンバータに適合
• 高電流同期整流段階に最適
• 堅牢なスイッチング素子を必要とするモータードライブに使用
• 通信機器の配電に使用
• サーバー電源モジュールおよびデータセンター電源に最適

動作時に対応可能な温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°C で動作し、幅広い産業環境や組み込み環境をカバーします。

プリント基板レイアウトでは、設計者はどのようなパッケージを想定する必要がありますか?


TO-263 表面実装パッケージで提供され、効果的な放熱のためにサーマルランドパターンを必要とします。

このデバイスは、接続用にどのくらいのピンを備えていますか?


このコンポーネントは、パッケージアンカーとともに電源およびゲート接続に対応する 7 つのピンを備えています。

どのような種類のチャネルを使用し、それが回路設計にどのような影響を及ぼすのでしょうか。


これは N チャネルデバイスであり、ローサイドスイッチングや同期整流構成において一般的に用いられるものです。

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