Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 2.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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25000 - 60000¥25.983¥64,958
62500 - 122500¥25.469¥63,673
125000 +¥24.955¥62,388

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RS品番:
214-4378
メーカー型番:
IPD50R2K0CEAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

シリーズ

500V CoolMOS CE

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.83V

最大許容損失Pd

33W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

6.42 mm

高さ

2.35mm

長さ

6.65mm

自動車規格

なし

Infineon の 500 V Cool MOS CE MOSFET は、価格性能が最適化されたプラットフォームです。最高の効率基準を満たしながら、消費者や照明市場のコスト重視の用途に対応できます。

高い整流耐久性を備えています

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