Infineon MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 3.9 A, 1.4 Ω, 23 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 214-4396
- メーカー型番:
- IPD80R1K4CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-4396
- メーカー型番:
- IPD80R1K4CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | CoolMOS CE | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 63W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.42mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.65mm | |
| 高さ | 2.35mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ CoolMOS CE | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 63W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.42mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.65mm | ||
高さ 2.35mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の 800 V Cool MOS CE MOSFET は、安全性と性能及び耐久性を兼ね備えた高電圧容量で、最高の効率レベルで安定した設計が可能です。
RoHS に準拠しています
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