Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 87 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRF3709ZSTRRPBF
- RS品番:
- 214-4451
- メーカー型番:
- IRF3709ZSTRRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-4451
- メーカー型番:
- IRF3709ZSTRRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 87A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 7.8mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 79W | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 26nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 87A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.8mΩ | ||
最大許容損失Pd 79W | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 26nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon のこの HEXFET MOSFET は、低 RDS （ on ）及び高電流容量に最適化されています。高性能と低周波数用途に最適です 堅牢性
JEDEC 規格に準拠した製品認定を取得しています
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