Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 240 A 表面実装 パッケージD2PAK-7 7 ピン

Infineon のこの HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。

鉛フリーです

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