Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 523 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, AUIRFSA8409-7TRL

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梱包形態
RS品番:
214-8963
メーカー型番:
AUIRFSA8409-7TRL
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

523A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.69mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

305nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

375W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

4.83mm

長さ

10.54mm

幅

9.65 mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。175℃のジャンクション動作温度 、高速スイッチング、向上した繰り返しアバランシェ定格といった特長もあります。これらの特長により、車載用をはじめ、幅広い用途に使用できる、高効率で信頼性の高いデバイスです。

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。175℃のジャンクション動作温度 、高速スイッチング、向上した繰り返しアバランシェ定格といった特長もあります。これらの特長により、車載用をはじめ、幅広い用途に使用できる、高効率で信頼性の高いデバイスです。

先進のプロセス技術

新しい超低オン抵抗

車載用認定済み

先進のプロセス技術

新しい超低オン抵抗

車載用認定済み

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