Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 522 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, AUIRFS8409-7TRL

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RS品番:
215-2454
メーカー型番:
AUIRFS8409-7TRL
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

522A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

375W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

305nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon の車載用 DirectFET ® パワー MOSFET は、 D2-Pak 7 ピンパッケージに最大連続ドレイン電流 68 A で、最大ドレインソース電圧 60 V を備えています。車載専用に設計されたこの HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、同一のシリコン面積で極めて低いオン抵抗を実現しています。これらの設計には、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、反復アバランシェ定格の向上などの特長があります。この機能を組み合わせることで、この製品は非常に効率的で信頼性の高いデバイスとなり、車載用途やその他のさまざまな用途に使用できます。

先進のプロセス技術

新しい超低オン抵抗

高速スイッチング

反復アバランシェはTjmaxまで許容

鉛フリー

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